Aurinka PV Group, Junto con el Instituto de Enegía Solar (IES), la Universidad Politécnica de Valencia (UPV) y el Centro turco para la Investigación y Aplicación de la Energía Solar (GÜNAM), trabaja en un proyecto Solar-Era Net para la aplicación de silicio de bajo coste energético en células solares del alta eficiencia PERC. El proyecto es denominado Cheer-Up (low Cost High EfficiEnt and Reliable Umg Pv cells).

El proyecto resultará en la obtención de células PERC multicristalinas con obleas de silicio UMG y una eficiencia de 22%.  Esta eficiencia objetivo irá acompañada de una reducción de costes de fabricación de silicio para aplicaciones solares y una reducción del impacto medioambiental de la tecnología de silicio cristalino.

El proyecto CHEER-UP establece como objetivo principal la demostración de la obtención de células PERC de alta eficiencia utilizando silicio multicristalino UMG como sustrato.

El proyecto contemplará los siguientes retos científico-tecnológicos:

1)            Atrapamiento por difusión de fósforo (P difusion gettering) en combinación con tratamiento térmico a baja temperatura (Low Thermal Annealing) y otras técnicas de ingeniería de defectos que permiten la captura de exceso de metales que el UMG puede tener en comparación con el polisilicio, incrementando así la calidad de volumen del sustrato.

2)            PERC será la arquitectura de célula utilizada para evaluar la eficiencia de las obleas con silicio UMG, debido a que esta arquitectura de alta eficiencia es de lejos la más utilizada por la industria fotovoltaica

3)            Silicio negro o nano-texturización. El silicio negro, denominado así por la apariencia de la célula texturizada con esta técnica, concederá a las células multicristalinas un plus de eficiencia contribuyendo así a reducir el gap existente entre mono y multi.

4)            Se explorará también un proceso de pasivación (mediante hidrogenación) convenientemente ajustada a los perfiles térmicos usados en el proceso, lo que contribuirá también a aumentar la eficiencia. Dada la posible influencia de la hidrogenación en el LeTID (degradación a altas temperaturas inducida por luz) se tendrá en cuenta que no perjudiquemos la degradación de la célula al mejorar su pasivación.

5)            La degradación inducida por luz (LID) y degradación a altas temperaturas inducida por luz (LeTID) son más pronunciadas en el silicio UMG para obleas multicristalinas que en obleas monocristalinas, con lo que diversas técnicas de recuperación de potencia serán exploradas para minimizar estos fenómenos.

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